Восемь аспирантов институтов Сибирского отделения РАН получат стипендии правительства России; ежемесячная доплата составит 10 тысяч рублей.
Аспирантка Института физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН Алина Герасимова получила стипендию правительства России. Девушка работает в лаборатории физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик.
Молодая учёная изучает формирование тонкоплёночных слоёв нестехиометрических оксидов металлов методом ионно-лучевого распыления-осаждения и исследованием их структурных и функциональных свойств. Их используют ReRam устройства, которые являются наиболее перспективными кандидатами на роль универсальной энергонезависимой памяти. Эта память может совмещать в себе энергонезависимость как флеш-память и жёсткий диск, высокую скорость работы, характерную для динамической памяти, и большой информационный объём.
По признанию Алины, оформить заявку на получение стипендии просто. Однако это требует времени.
«У меня ушло несколько дней. Нужно перечислить научные достижения, к которым относятся статьи в журналах, индексируемых в WoS, Scopus, РИНЦ, запатентованные научные результаты, выступления на конференциях, победы в конкурсах, олимпиадах», – призналась девушка.
Она рассказала, что опубликовала несколько статей в таких журналах, как Nanotechnology, Advanced electronic materials. Алина считает, что это сыграло свою роль при принятии решения о выделении стипендии.
В течение года Алина будет получать дополнительно 10 тысяч рублей в месяц.
Напомним, 22 октября стало известно, что молодые учёные готовы избавить Россию от угольной пыли.
Подпишитесь на нас в Telegram
